Der südkoreanische Hersteller SK Hynix hat die Serienproduktion des 3D-Flash-Speichers der vierten Generation aufgenommen. Dank 72 Zellschichten sichern die für SSDs gedachten Chips vorerst 256 GBit. Die Ausbeute soll erfreulich hoch ausfallen.

Wie die ET News vermeldet, hat SK Hynix mit der Serienfertigung seiner neuesten 3D-Flash-Speichergeneration begonnen. Der Hersteller hatte im April 2017 angekündigt, dass die Produktion im zweiten Halbjahr anlaufen soll. Der sogenannte 3D-NAND v4 wurde im August 2016 auf dem Flash Memory Summit angekündigt und weist mit 72 die bisher meisten Zellschichten auf.

Somit erreicht SK Hynix eine Kapazität von 256 GBit, später sollen Chips mit 512 GBit Speicherplatz folgen. Die Konkurrenz - Flash Forward (Toshiba & Western Digital), IMFT (Intel & Micron) und Samsung - benötigt 64 Layer. Die Anzahl der Ebenen ist jedoch nur in Kombination mit der Anzahl der Bits pro Speicherzelle und den Maßen der Dies aussagekräftig. SK Hynix zumindest gibt an, dass die Chipausbeute (Yield) hoch und mit der von Samsungs V-NAND v4 vergleichbar sei. Gedacht ist der neue 3D-Flash-Speicher für wechselbare SSDs in Notebooks oder PCs und für Smartphones in Form von verlöteten eMMCs.

Verglichen mit dem 3D-NAND v3 sei die v4-Generation um 15 Prozent energieeffizienter und 20 Prozent schneller. Die Speicherdichte pro Wafer soll sich durch die 72 statt 48 Zellschichten um 30 Prozent erhöhen. Bei entsprechenden Yields sinken für SK Hynix daher die Produktionskosten.

Die Konkurrenz hat ähnliche 3D-NAND-Flash-Produkte: Flash Forward fertigt den BiCS3 mit 256 GBit und 64 Layern, IMFT den laut eigener Aussage kleinsten 256-GBit-Chip mit 59 mm², und Samsungs V-NAND v4 soll mit einem 1.000 MBit pro Sekunde schnellen I/O-Interface besonders flott sein.
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